為提高開關電源的功率密度，電源工程師首先想到的辦法是選擇開關頻率更高的MOSFET，通過提高開關速度可以顯著地減小輸出濾波器體積，從而在單位體積內(nèi)可實現(xiàn)更高的功率等級。但是隨著開關頻率的提高，會帶來EMI特性的惡化，必須采取有效的措施改善電路的EMI特性

開關電源的功率MOSFET安裝在印制電路板上，由于印制電路板上MOSFET走線和環(huán)路存在雜散電容和寄生電感，開關頻率越高，這些雜散電容和寄生電感更加不能夠忽略。由于MOSFET上的電壓和電流在開關時會快速變化，快速變化的電壓和電流與這些雜散電容和寄生電感相互作用，會導致電壓和電流出現(xiàn)尖峰，使輸出噪聲明顯增加，影響系統(tǒng)EMI特性。

1 降低開關電源之MOSFET的dv/dt，可以采取以下有效措施：
較高的Cds可以降低dv/dt并降低Vds過沖；但是較高的Cds會影響轉(zhuǎn)換器的效率?？梢允褂镁哂休^低擊穿電壓和低導通電阻的MOSFET（這類MOSFET的Cds也較小）。但是如果考慮噪聲輻射，則需要使用較大的諧振電容（Cds）。因此提高Cds則需要權(quán)衡EMI和效率兩者的關系；

較高的Cgd實質(zhì)上增加了MOSFET在米勒平臺的持續(xù)時間，可以降低dv/dt。但這會導致增加開關損耗，從而降低開關電源之MOSFET效率并且會提高其溫升。提高Cgd，需要驅(qū)動電流也會大幅增加，驅(qū)動器可能會因瞬間電流過大而燒毀；建議不要輕易添加Cgd；在柵極處添加外部Cgs電容，但很少使用此方法，因為增加柵極電阻Rg相對更簡單。效果是相同的。

2 降低開關電源之電路中di/dt，可通過下面措施進行改進：
增加高頻電容減小環(huán)路面積
我們可以采取措施減小高頻電位跳變點的PCB環(huán)路面積。增加高頻高壓直流電容C_IP是減少開關電源之PCB環(huán)路面積和分離高頻和低頻兩個部分回路有效措施。

合理增加磁珠抑制高頻電流
為了額外降低di/dt，可以在電路中增加已知的電感，以抑制高頻段的電流尖峰和振蕩。已知的電感與雜散電感串聯(lián)，所以總電感值在設計者已知的電感范圍內(nèi)。鐵氧體磁珠就是很好的高頻電流抑制器，它在預期頻率范圍內(nèi)變?yōu)殡娮瑁⒁詿岬男问较⒃肼暷芰俊?