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兩方面談開(kāi)關(guān)電源之元器件肖特基二極管

來(lái)源：東莞市成良智能科技發(fā)布時(shí)間：2020-03-31 點(diǎn)擊量：817

開(kāi)關(guān)電源的各種元器件都有兩面性，本文所要給大家介紹的是其中的一種物料肖特基二極管的兩個(gè)方面，讓大家了解它，就能知道開(kāi)關(guān)電源在使用時(shí)就能揚(yáng)長(zhǎng)避短，規(guī)避問(wèn)題。首先從它好的一面來(lái)說(shuō)吧。

開(kāi)關(guān)電源之肖特基二極管具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源和功率因數(shù)校正電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管和超快速恢復(fù)二極管。反向恢復(fù)時(shí)間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz～3MHz的SMPS需要。

由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點(diǎn)。近幾年，SBD已取得了突破性的進(jìn)展，150V和 200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過(guò)1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機(jī)與活力。

從另一面不好的來(lái)說(shuō)：
開(kāi)關(guān)電源之元器件的肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急劇變大，實(shí)務(wù)設(shè)計(jì)上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問(wèn)題，開(kāi)關(guān)電源之元器件肖特基二極體實(shí)際使用時(shí)的反向偏壓都會(huì)比其額定值小很多。不過(guò)肖特基二極體的技術(shù)也已有了進(jìn)步，其反向偏壓的額定值最大可以到200V。

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